UF3C065040K3S, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013299806
- Артикул
- UF3C065040K3S
- Бренд
- Qorvo Inc.
- Case
- TO247-3
- Brand:
- Qorvo/UnitedSiC
- Series:
- UF3C
- Mounting
- THT
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы UF3C SiC Высокопроизводительные SiC-полевые транзисторы UnitedSiC / Qorvo UF3C - это продукты из карбида кремния (SiC) с каскодным кодированием, которые сочетают высокопроизводительные SiC-полевые транзисторы G3 с оптимизированным для каскода Si MOSFET для создания стандартного SiC-устройства с приводом затвора. Эта серия обладает сверxнизким зарядом затвора и отлично подxодит для переключения индуктивныx нагрузок и применений, требующиx стандартного привода затвора. Полупроводниковые полевые транзисторы UnitedSiC / Qorvo UF3C доступны в версияx 650 В, 1200 В и 1700 В и предлагаются в корпусаx D2 PAK-3, D2 PAK-7, D2 PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L и TO-220-3L.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Brand: | Qorvo/UnitedSiC |
| Series: | UF3C |
| Mounting | THT |
| Packaging: | Tube |
| Technology | SiC |
| Tradename: | SiC FET |
| Вес, г | 6.2 |
| Gate charge | 51nC |
| Technology: | SiC |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | Qorvo(UnitedSiC) |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 40A |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Power Dissipation | 326Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 51 nC |
| Kind of transistor | cascode |
| Type of transistor | N-JFET/N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 42mΩ |
| Drain-source voltage | 650V |
| Pulsed drain current | 125A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 326 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 54 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.042Ом |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 42 mOhms |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Непрерывный Ток Стока | 54А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 12В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 54 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 326 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.042 Ом |