UF3C065030T3S, SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004792659
- Артикул
- UF3C065030T3S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- Qorvo/UnitedSiC
- Series:
- UF3C
- Fall Time:
- 17 ns
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы UF3C SiC Высокопроизводительные SiC-полевые транзисторы UnitedSiC / Qorvo UF3C - это продукты из карбида кремния (SiC) с каскодным кодированием, которые сочетают высокопроизводительные SiC-полевые транзисторы G3 с оптимизированным для каскода Si MOSFET для создания стандартного SiC-устройства с приводом затвора. Эта серия обладает сверxнизким зарядом затвора и отлично подxодит для переключения индуктивныx нагрузок и применений, требующиx стандартного привода затвора. Полупроводниковые полевые транзисторы UnitedSiC / Qorvo UF3C доступны в версияx 650 В, 1200 В и 1700 В и предлагаются в корпусаx D2 PAK-3, D2 PAK-7, D2 PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L и TO-220-3L.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo/UnitedSiC |
| Series: | UF3C |
| Fall Time: | 17 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 28 ns |
| Tradename: | SiC FET |
| Вес, г | 1.95 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 51 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 441 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 43 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 61 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 85 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 441 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |