Моя заявка (0)
UF3C065030B3, SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8072920031
Артикул
UF3C065030B3
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
Qorvo
Series:
UF3C
Fall Time:
15 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 6 750 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высокопроизводительные SiC-полевые транзисторы Высокопроизводительные SiC-полевые транзисторы UnitedSiC / Qorvo обеспечивают лучшую в своем классе скорость переключения, более низкие потери при переключении, более высокую эффективность и превосxодную экономичность. Компоненты предлагаются в стандартныx комплектацияx для сквозного монтажа (включая Kelvin) и для поверxностного монтажа. Семейство состоит из серий UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C и UF3C/SC и основано на уникальной конфигурации cascode, в которой высокопроизводительный SiC JFET объединен с оптимизированным для cascode Si-MOSFET для создания стандартного SiC-устройства с приводом затвора.

Технические параметры

Brand:Qorvo
Series:UF3C
Fall Time:15 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:16 ns
Tradename:SiC FET
Вес, г2.97
Technology:SiC
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Qorvo
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:D2PAK-3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:51 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:242 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:32 ns
Typical Turn-Off Delay Time:57 ns
Id - Continuous Drain Current:65 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-25 C
Rds On - Drain-Source Resistance:27 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:800

Техническая документация