TW123V65C,LQ(S,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 18 A, 650 V, 0.183 ohm, DFN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050714011
- Артикул
- TW123V65C,LQ(S
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.175
- No. of Pins
- 5Pins
- Channel Type
- N Channel
- Transistor Case Style
- DFN
Цена по запросу
(от 2 360 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.175 |
| No. of Pins | 5Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Transistor Case Style | DFN |
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Continuous Drain Current Id | 18A |
| MOSFET Module Configuration | Single |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 5V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 76W |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 18V |