TW083Z65C,S1F(S,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 30 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044526663
- Артикул
- TW083Z65C,S1F(S
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 6.55
- No. of Pins
- 4Pins
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 111W
Цена по запросу
(от 4 960 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 6.55 |
| No. of Pins | 4Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 111W |
| Rds(on) Test Voltage | 18V |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Continuous Drain Current Id | 30A |
| MOSFET Module Configuration | Single |
| Drain Source On State Resistance | 0.083ohm |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 5V |