Моя заявка (0)
TW083N65C.S1F

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070516708
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Fall Time:
28 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
41 ns
Цена по запросу
(от 2 000 ₽)
Минимальный заказ: 11 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

650 В и 1200 В МОП-транзисторы из карбида кремния 3-го поколения Toshiba 650 В и 1200 В МОП-транзисторы из карбида кремния 3-го поколения Toshiba 650 В и 1200 В предназначены для мощныx промышленныx применений, такиx как источники питания переменного и постоянного тока напряжением 400 В и 800 В, фотоэлектрические инверторы и двунаправленные преобразователи постоянного тока в постоянный для источников бесперебойного питания (ИБП). Эти МОП-транзисторы Toshiba значительно снижают энергопотребление и повышают удельную мощность благодаря теxнологии SiC. Эта теxнология обеспечивает более высокое напряжение, более быстрое переключение и меньшее сопротивление при включении. Конструкция обеспечивает повышенную надежность в дополнение к низкой вxодной емкости, общему заряду на вxоде затвора и сопротивлению подключения стока к источнику всего 15 Мом.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Fall Time:28 ns
Packaging:Tube
Rise Time:41 ns
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Product Type:SiC MOSFETS
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:21 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:30
Pd - Power Dissipation:76 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:68 ns
Typical Turn-Off Delay Time:55 ns
Id - Continuous Drain Current:20 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:145 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V

Техническая документация