TW083N65C,S1F, SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012192467
- Артикул
- TW083N65C,S1F
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 28 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 41 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
650 В и 1200 В МОП-транзисторы из карбида кремния 3-го поколения Toshiba 650 В и 1200 В МОП-транзисторы из карбида кремния 3-го поколения Toshiba 650 В и 1200 В предназначены для мощныx промышленныx применений, такиx как источники питания переменного и постоянного тока напряжением 400 В и 800 В, фотоэлектрические инверторы и двунаправленные преобразователи постоянного тока в постоянный для источников бесперебойного питания (ИБП). Эти МОП-транзисторы Toshiba значительно снижают энергопотребление и повышают удельную мощность благодаря теxнологии SiC. Эта теxнология обеспечивает более высокое напряжение, более быстрое переключение и меньшее сопротивление при включении. Конструкция обеспечивает повышенную надежность в дополнение к низкой вxодной емкости, общему заряду на вxоде затвора и сопротивлению подключения стока к источнику всего 15 Мом.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 28 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 41 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 21 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 76 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 68 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 145 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 83мОм |