Моя заявка (0)

TW048Z65C,S1F(S,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 40 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247

TW048Z65C,S1F(S,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 40 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044526661
Артикул
TW048Z65C,S1F(S
Бренд
Toshiba
Вес, г
6.55
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
132W
Цена по запросу
(от 4 330 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г6.55
No. of Pins4Pins
Channel TypeN Channel
Power Dissipation132W
Rds(on) Test Voltage18V
Transistor Case StyleTO-247
Drain Source Voltage Vds650V
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id40A
MOSFET Module ConfigurationSingle
Drain Source On State Resistance0.048ohm
Gate Source Threshold Voltage Max5V

Техническая документация