TW045N120C.S1F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072381738
- Бренд
- Toshiba
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +25V, -10V
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 3 090 ₽)
Минимальный заказ: 30 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 1200 В 40А (Tc) 182 Вт (Tc) Со сквозным отверстием TO-247
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 6.7mA |
| Operating Temperature | 175°C |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 20A, 18V |
| Power Dissipation (Max) | 182W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 18 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1969 pF @ 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A(Tc) |