Моя заявка (0)

TW030Z120C,S1F(S,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247

TW030Z120C,S1F(S,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044526659
Артикул
TW030Z120C,S1F(S
Бренд
Toshiba
Вес, г
6.55
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
249W
Цена по запросу
(от 8 360 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г6.55
No. of Pins4Pins
Channel TypeN Channel
Power Dissipation249W
Rds(on) Test Voltage18V
Transistor Case StyleTO-247
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id60A
MOSFET Module ConfigurationSingle
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Gate Source Threshold Voltage Max5V

Техническая документация