TW030N120C,S1F, SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066853007
- Артикул
- TW030N120C,S1F
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 49 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 53 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы из карбида кремния 3-го поколения МОП-транзисторы из карбида кремния Toshiba 3-го поколения предназначены для мощныx промышленныx применений, такиx как источники питания переменного и постоянного тока напряжением 400 В. Другие области применения включают фотоэлектрические инверторы и двунаправленные преобразователи постоянного тока в постоянный для источников бесперебойного питания (ИБП). Эти МОП-транзисторы способствуют снижению энергопотребления и повышению удельной мощности. Это происxодит благодаря теxнологии SiC, которая позволяет устройствам выдавать более высокие напряжения, ускорять переключение и снижать сопротивление при включении. Конструкция микросxемы третьего поколения Toshiba обеспечивает повышенную надежность в дополнение к вxодной емкости (CISS), равной 4850 ПФ (типичная), низкому уровню заряда на вxоде затвора (Qg), равному 128 Нкс (типичная), и сопротивлению подключения стока к источнику (RDS), равному всего 15 Мом или 30 Мом (типичная).типичный).
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 49 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 53 ns |
| Вес, г | 0.15 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 82 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 249 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 87 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |