TW015N65C,S1F(S, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012547921
- Артикул
- TW015N65C,S1F(S
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 6
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 342Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 14 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 6 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 342Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source On State Resistance | 0.021Ом |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.021 Ом |