TTD18P10AT, 100V 18A 80m-@10V,9A 113W 1.7V@250uA 53pF@50V P Channel 4.182nF@50V 70nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-252 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015821207
- Артикул
- TTD18P10AT
- Бренд
- Unigroup Microelectronics
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.41
- Корпус
- TO-252
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 51 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 18 А 80 Мом при 10 В, 9 А 113 Вт 1.7V@250uA P-канал TO-252-2 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.41 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 113W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 70nC@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.182nF@50V |
| Continuous Drain Current (Id) | 18A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.7V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 53pF@50V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@10V, 9A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.7V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 113 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 80mΩ@10V, 9A |