TTA008B,Q, 1.5W 80V 100@500mA,2V 2A PNP TO-126N Single Bipolar Transistors ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050731266
- Артикул
- TTA008B,Q
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 0.84
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 0.84 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to-126 |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-126N-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity: | 250 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 200 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Continuous Collector Current: | -2 A |
| Maximum DC Collector Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 100 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |