Моя заявка (0)

TSM900N10CP ROG, MOSFETs 100V, 15A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM900N10CP ROG, MOSFETs 100V, 15A, Single N-Channel Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006225934
Артикул
TSM900N10CP ROG
Бренд
Taiwan Semiconductor
Вес, г
0.1
Упаковка
Reel, Cut Tape
Структура
N-Channel
Технология
Si
Цена по запросу
(от 92,59 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 100V, 15A, Single N-Channel Power МОП-транзистор

Технические параметры

Вес, г0.1
УпаковкаReel, Cut Tape
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада5.3 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаTaiwan Semiconductor
Упаковка / блокTO-252S-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора9.3 nC
Время нарастания9.5 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности50 W
Id - непрерывный ток утечки15 A
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Чувствительный к влажностиYes
Rds Вкл - сопротивление сток-исток72 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения18.4 ns
Типичное время задержки при включении2.9 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация