TSM900N06CH X0G, Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-251S Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002294246
- Артикул
- TSM900N06CH X0G
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 60V 11A с 3-контактным разъемом (3+ язычка) для трубки TO-251S
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 2.3 |
| Package Length | 6.6 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-251S |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 1.8 |
| Typical Rise Time (ns) | 2.8 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 25000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 9.5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 9.5@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.7 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 17.1 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 11 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 553.4@30V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 90@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6mΩ |