Моя заявка (0)

TSM8568CV RGG, MOSFETs -30V, -4.5A, Complementary P-Channel Power MOSFET;30V, 5.7A N-Channel

TSM8568CV RGG, MOSFETs -30V, -4.5A, Complementary P-Channel Power MOSFET;30V, 5.7A N-Channel

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029005446
Артикул
TSM8568CV RGG
Бренд
Taiwan Semiconductor
Brand:
Taiwan Semiconductor
Fall Time:
5.2 ns, 46 ns
Rise Time:
25 ns, 38 ns
Вес, г
0.03
Цена по запросу
(от 86,87 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N- и P-канальные МОП-транзисторы TSM Taiwan Semiconductor TSM N- и P-канальные МОП-транзисторы TSM соответствуют требованиям RoHS и обеспечивают низкий уровень заряда затвора для быстрого переключения питания. Эти МОП-транзисторы не содержат галогенов и на 100% протестированы на UIS и Rg. N- и P-канальные МОП-транзисторы TSM работают в диапазоне температур соединения от -55°C до 150°C. Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для управления питанием коммутаторов нагрузки, портативныx устройств, преобразователей постоянного тока в постоянный и для маршрутизации питания.

Технические параметры

Brand:Taiwan Semiconductor
Fall Time:5.2 ns, 46 ns
Rise Time:25 ns, 38 ns
Вес, г0.03
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Taiwan Semiconductor
Package/Case:PDFN33-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:TSM8568CV
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:16 nC, 21 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, P-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Особенностикомплементарная пара транзисторов
Pd - Power Dissipation:4.2 W
Typical Turn-On Delay Time:5.8 ns, 6.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:22 ns, 50 ns
Id - Continuous Drain Current:4.5 A, 5.7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:4.4 S, 5.8 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +25 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)17 mOhms, 33 mOhms