TSM850N06CX RFG, Транзистор N-МОП, полевой, 60В 6,1A 1,56Вт 0,085Ом SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024645986
- Артикул
- TSM850N06CX RFG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
- Fall Time:
- 17 ns
- Rise Time:
- 20 ns
- Вес, г
- 0.03
Цена по запросу
(от 30 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В 6,1A 1,56Вт 0,085Ом SOT23
Технические параметры
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| Fall Time: | 17 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | TSM850N06CX |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9.5 nC |
| Структура | N-МОП |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.7 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9.8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 68 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.56 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0, 085Ом |