Моя заявка (0)

TSM80N400CF C0G, Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) ITO-220S Tube

TSM80N400CF C0G, Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) ITO-220S Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002294281
Артикул
TSM80N400CF C0G
Бренд
Taiwan Semiconductor
Вес, г
1
Корпус
TO-220
Упаковка
Tube
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 320 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 7,5А, 69Вт, TO220FP

Технические параметры

Вес, г1
КорпусTO-220
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада28 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаTaiwan Semiconductor
Упаковка / блокITO-220S-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора51 nC
Время нарастания26 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности69 W
Id - непрерывный ток утечки12 A
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток300 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения57 ns
Типичное время задержки при включении19 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В2 V
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)300 mOhms

Техническая документация