TSM80N1R2CL C0G, Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002293952
- Артикул
- TSM80N1R2CL C0G
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 200 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 800V 5.5A с 3-контактным разъемом (3+ вкладки) I2PAK
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 4.55 |
| Package Length | 10.5(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | I2PAK |
| Структура | N-Channel |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 10 |
| Typical Rise Time (ns) | 11 |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 110000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 19.4 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 19.4@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 22 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 800 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5.5 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 685@100V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1200@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | -25 V, +25 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |