TSM80N1R2CI C0G, Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002293767
- Артикул
- TSM80N1R2CI C0G
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Вес, г
- 1
- Корпус
- TO-220
- Упаковка
- Tube
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 200 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 800В 5,5A 25Вт 1,2Ом ITO220
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Корпус | TO-220 |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 10 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Taiwan Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 19.4 nC |
| Время нарастания | 11 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.5 A |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 900 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 55 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.3 Ом |