Моя заявка (0)

TSM7P06CP ROG, Транзистор P-МОП, полевой, 60В 7A 15,6Вт 0,18Ом TO252

TSM7P06CP ROG, Транзистор P-МОП, полевой, 60В 7A 15,6Вт 0,18Ом TO252

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024646004
Артикул
TSM7P06CP ROG
Бренд
Taiwan Semiconductor
Brand:
Taiwan Semiconductor
Fall Time:
10.6 ns
Rise Time:
19 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 61 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Taiwan Semiconductor
Fall Time:10.6 ns
Rise Time:19 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусto252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Taiwan Semiconductor
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:TSM7P06CP
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:8.2 nC
СтруктураP-МОП
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:15.6 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:35 ns
Id - Continuous Drain Current:7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:153 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V
Пороговое напряжение на затворе2.5V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт15.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0, 18Ом

Техническая документация