Моя заявка (0)

TSM70N600CP ROG, TSM70N600CP ROG Taiwan Semiconductor MOSFETs Transistor N-CH 700V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com

TSM70N600CP ROG, TSM70N600CP ROG Taiwan Semiconductor MOSFETs Transistor N-CH 700V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8047659847
Артикул
TSM70N600CP ROG
Бренд
Taiwan Semiconductor
HTS
8541.29.00.95
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Минимальный заказ: 180 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TabTab
PPAPNo
SVHCYes
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width5.8
Package Height2.3
Package Length6.5
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologySuper Junction
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-252
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)9
Typical Rise Time (ns)15
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)83000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)12.6
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)12.6@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±30
Typical Turn-On Delay Time (ns)21
Maximum Drain Source Voltage (V)700
Typical Turn-Off Delay Time (ns)40
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)8
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)743@100V
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)600@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В700
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В