TSM6502CR RLG, MOSFETs 60V, 24A, -60V, -18A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062242322
- Артикул
- TSM6502CR RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 93 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N- и P-канальные МОП-транзисторы TSM Taiwan Semiconductor TSM N- и P-канальные МОП-транзисторы TSM соответствуют требованиям RoHS и обеспечивают низкий уровень заряда затвора для быстрого переключения питания. Эти МОП-транзисторы не содержат галогенов и на 100% протестированы на UIS и Rg. N- и P-канальные МОП-транзисторы TSM работают в диапазоне температур соединения от -55°C до 150°C. Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для управления питанием коммутаторов нагрузки, портативныx устройств, преобразователей постоянного тока в постоянный и для маршрутизации питания.
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 18 ns, 44 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 25 ns, 28 ns |
| Вес, г | 0.38 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N|P |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Package Width | 5.75 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Package Length | 4.9 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PDFN-56-8 |
| Part # Aliases: | TSM6502CR |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | PDFN EP |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20.8 nC, 9.5 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Standard Package Name | DFN |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 18@N Channel|44@P Channel |
| Typical Rise Time (ns) | 25@N Channel|28@P Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.4 ns, 4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns, 44 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.4 A, 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 18.1@P Channel|20.8@N Channel |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 10.3@4.5V|18.1@10V@P Channel|20.8@10V@N Channel|9.5@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4@P Channel|7.4@N Channel |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 18@N Channel|44@P Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 mOhms, 73 mOhms |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4@P Channel|5.4@N Channel |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1159@30V@N Channel|930@30V@P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 34@10V@N Channel|68@10V@P Channel |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |