TSM60NE200CIT C0G, MOSFETs 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032743773
- Артикул
- TSM60NE200CIT C0G
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±30V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 7
Цена по запросу
(от 422,20 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 600 В 12 А (Tc) 63 Вт (Tc) со сквозным отверстием ITO-220TL
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 7 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 1.65mA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 4A, 12V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 63W(Tc) |
| Supplier Device Package | ITO-220TL |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1238 pF @ 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |