TSM60NE084PW C0G, MOSFETs 600V, 42A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031940508
- Артикул
- TSM60NE084PW C0G
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
- Fall Time:
- 41 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 68 ns
Цена по запросу
(от 1 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Одноканальные МОП-транзисторы питания 600 В Taiwan Semiconductor Одноканальные МОП-транзисторы питания 600 В используют теxнологию суперпереxодов и работают в диапазоне температур от -55°C до 150°C. Эти МОП-транзисторы не содержат свинца, соответствуют требованиям RoHS и не содержат галогенов. Типичные области применения - освещение, промышленность и коммутация.
Технические параметры
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| Fall Time: | 41 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 68 ns |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | TSM60NE084PW |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 68 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 300 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 357 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 44 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 66 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 42 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 84 mOhms |