TSM60NC980CP ROG, MOSFETs 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024122198
- Артикул
- TSM60NC980CP ROG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
- Fall Time:
- 17 ns
- Rise Time:
- 11 ns
- Вес, г
- 0.33
Цена по запросу
(от 155,41 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Одноканальные МОП-транзисторы питания 600 В Taiwan Semiconductor Одноканальные МОП-транзисторы питания 600 В используют теxнологию суперпереxодов и работают в диапазоне температур от -55°C до 150°C. Эти МОП-транзисторы не содержат свинца, соответствуют требованиям RoHS и не содержат галогенов. Типичные области применения - освещение, промышленность и коммутация.
Технические параметры
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| Fall Time: | 17 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Transistor Type: | 1 N Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 11 nC |
| Структура | N-Channel |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 57 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 980 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -12 V, +12 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |