Моя заявка (0)

TSM60NC620CI C0G, MOSFETs 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM60NC620CI C0G, MOSFETs 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026899698
Артикул
TSM60NC620CI C0G
Бренд
Taiwan Semiconductor
Brand:
Taiwan Semiconductor
Fall Time:
17 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
11 ns
Цена по запросу
(от 231,47 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Одноканальные МОП-транзисторы питания 600 В Taiwan Semiconductor Одноканальные МОП-транзисторы питания 600 В используют теxнологию суперпереxодов и работают в диапазоне температур от -55°C до 150°C. Эти МОП-транзисторы не содержат свинца, соответствуют требованиям RoHS и не содержат галогенов. Типичные области применения - освещение, промышленность и коммутация.

Технические параметры

Brand:Taiwan Semiconductor
Fall Time:17 ns
Packaging:Tube
Rise Time:11 ns
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Taiwan Semiconductor
Package/Case:ITO-220-3
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:11 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2000
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:57 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Typical Turn-Off Delay Time:28 ns
Id - Continuous Drain Current:4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:980 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В