TSM60NC390CH C5G, MOSFETs 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018696354
- Артикул
- TSM60NC390CH C5G
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
- Fall Time:
- 8.1 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 3.8 ns
Цена по запросу
(от 261,27 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| Fall Time: | 8.1 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 3.8 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Package/Case: | TO-251-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | TSM60NC390CH |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 21.4 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3750 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 390 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -1.4 V, +7 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |