Моя заявка (0)

TSM60NB260CI C0G, Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube

TSM60NB260CI C0G, Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002294663
Артикул
TSM60NB260CI C0G
Бренд
Taiwan Semiconductor
Вес, г
1
Корпус
TO-220
Упаковка
Tube
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Минимальный заказ: 130 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В 13A 32,1Вт 0,26Ом ITO220

Технические параметры

Вес, г1
КорпусTO-220
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада10 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаTaiwan Semiconductor
Упаковка / блокITO-220-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора30 nC
Время нарастания13.2 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности32.1 W
Id - непрерывный ток утечки13 A
Размер фабричной упаковки2000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток260 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения90.8 ns
Типичное время задержки при включении28.4 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.3 Ом

Техническая документация