TSM60NB190CZ C0G, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 18A 150,6Вт 0,19Ом TO220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062519116
- Артикул
- TSM60NB190CZ C0G
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Вес, г
- 2
- Упаковка
- Tube
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- Through Hole
Цена по запросу
(от 495,41 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 600V, 18A, Single N- Channel Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 21 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Taiwan Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 31 nC |
| Время нарастания | 21 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 150.6 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 95 ns |
| Типичное время задержки при включении | 36 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |