TSM60N600CI C0G, Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) ITO-220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002294140
- Артикул
- TSM60N600CI C0G
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- HTS
- TSM60N600CI C0G
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Минимальный заказ: 170 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| HTS | TSM60N600CI C0G |
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Корпус | TO-220 |
| Configuration | Single |
| Package Width | 4.6 |
| Package Height | 15 |
| Package Length | 10 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | ITO-220 |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 9 |
| Typical Rise Time (ns) | 15 |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 83000 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 13@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 21 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 40 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 8 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 743@100V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 600@10V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.3 Ом |