TSM60N1R4CP, MOSFETs Power MOSFET, N-CHAN 600V, 3.3A, 1400mOh
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006239527
- Артикул
- TSM60N1R4CP
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Вес, г
- 0.34
- Структура
- N-Channel
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 440 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Power МОП-транзистор, N-CHAN 600V, 3.3A, 1400mOhm
Технические параметры
| Вес, г | 0.34 |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 20 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Taiwan Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 7.7 nC |
| Время нарастания | 22 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 38 W |
| Другие названия товара № | TSM60N1R4CP R0G |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.3 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 880 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 24 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |