TSM600P03CS RLG, MOSFETs -30V, -4.7A, Single P-Channel Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006231528
- Артикул
- TSM600P03CS RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Вес, г
- 1
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Структура
- P-Channel
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 61,27 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор -30V, -4.7A, Single P-Channel Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | P-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 6.9 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Taiwan Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOP-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 5.1 nC |
| Время нарастания | 10.8 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.7 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 44 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 26.9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.4 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.7 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.5 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 36mΩ@4.7A, 10V |