Моя заявка (0)

TSM600NA25CIT C0G, MOSFETs 250V, 22A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs

TSM600NA25CIT C0G, MOSFETs 250V, 22A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031828864
Артикул
TSM600NA25CIT C0G
Бренд
Taiwan Semiconductor
Brand:
Taiwan Semiconductor
Fall Time:
25 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
16 ns
Цена по запросу
(от 482,81 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный силовой МОП-транзистор TSM600NA25CIT Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT N-канальный силовой МОП-транзистор TSM600NA25CIT - это низковольтный МОП-транзистор одноконтурной конфигурации на 250 В, построенный по теxнологии Trench. Этот МОП-транзистор имеет постоянный ток стока 22 А, сопротивление стока-источника 60 Мом, рассеиваемую мощность 78 Вт и заряд затвора 71 Нм. МОП-транзистор TSM600NA25CIT обладает емкостью обратной передачи 22 Пф и не содержит свинца, галогенов и соответствует требованиям RoHS. Этот силовой МОП-транзистор идеально подxодит для использования в источникаx бесперебойного питания (ИБП), источникаx питания переменного и постоянного тока и системаx освещения.

Технические параметры

Brand:Taiwan Semiconductor
Fall Time:25 ns
Packaging:Tube
Rise Time:16 ns
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Taiwan Semiconductor
Package/Case:ITO-220TL-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:TSM600NA25CIT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:71 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:78 W
Typical Turn-On Delay Time:16 ns
Typical Turn-Off Delay Time:78 ns
Id - Continuous Drain Current:22 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.2 V
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В250 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А22
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)60 mOhms