TSM600N25ECH C5G, Trans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-251
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002255377
- Артикул
- TSM600N25ECH C5G
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 58 ₽)
Минимальный заказ: 530 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 250V 8A 3-контактный (3+Tab) TO-251
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Configuration | Single |
| Package Width | 2.3 |
| Package Length | 6.5 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-251 |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 14 |
| Typical Rise Time (ns) | 25 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 52000 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.4@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 250 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 423@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 600@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |