Моя заявка (0)

TSM500N15CS RLG, MOSFETs 150V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM500N15CS RLG, MOSFETs 150V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064044694
Артикул
TSM500N15CS RLG
Бренд
Taiwan Semiconductor
Brand:
Taiwan Semiconductor
Fall Time:
10.6 ns
Rise Time:
21.4 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

TSM500N15CS 150V Power MOSFET Taiwan Semiconductor TSM500N15CS 150V Power MOSFET - это N-канальный МОП-транзистор с низким уровнем RDS (ВКЛ.) для минимизации потерь на проводимость и низкого заряда затвора. Этот n-канальный МОП-транзистор соответствует требованиям RoHS и не содержит галогенов. Его можно использовать в преобразователяx постоянного тока, системаx подачи питания и электроприводаx.

Технические параметры

Brand:Taiwan Semiconductor
Fall Time:10.6 ns
Rise Time:21.4 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Taiwan Semiconductor
Package/Case:SOP-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:TSM500N15CS
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:20.5 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:12.7 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:14 ns
Typical Turn-Off Delay Time:29.5 ns
Id - Continuous Drain Current:4 A, 11 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:22 S
Rds On - Drain-Source Resistance:50 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V

Техническая документация