TSM4NB60CP ROG, MOSFETs 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006227203
- Артикул
- TSM4NB60CP ROG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
Цена по запросу
(от 123,91 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В 4A 50Вт 2,5Ом TO252
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.34 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 6.1 |
| Package Height | 2.28 |
| Package Length | 6.5 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 19 ns |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 19 |
| Typical Rise Time (ns) | 20 |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Taiwan Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 50000 |
| Qg - заряд затвора | 14.5 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 14.5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 14.5@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Время нарастания | 20 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 500@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 2500@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -12 V, +12 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |