Моя заявка (0)

TSM480P06CP ROG, Транзистор P-МОП, полевой, 60В 20A 40Вт 0,048Ом TO252

TSM480P06CP ROG, Транзистор P-МОП, полевой, 60В 20A 40Вт 0,048Ом TO252

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024645999
Артикул
TSM480P06CP ROG
Бренд
Taiwan Semiconductor
Brand:
Taiwan Semiconductor
Fall Time:
16.4 ns
Rise Time:
42.4 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 78 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Taiwan Semiconductor
Fall Time:16.4 ns
Rise Time:42.4 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Корпусto252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Taiwan Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DPAK-3(TO-252-3)
Part # Aliases:TSM480P06CP
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:22.4 nC
СтруктураP-МОП
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:40 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:13 ns
Typical Turn-Off Delay Time:64.6 ns
Id - Continuous Drain Current:20 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-50 C
Rds On - Drain-Source Resistance:39 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.6 V
Пороговое напряжение на затворе2.5V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0, 048Ом

Техническая документация