Моя заявка (0)
TSM3443CX6 RFG, Транзистор: P-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062484838
Артикул
TSM3443CX6 RFG
Бренд
Taiwan Semiconductor
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
FET Type
P-Channel
Цена по запросу
(от 28 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 20V P channel МОП-транзистор

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
FET TypeP-Channel
Vgs (Max)В±12V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г0.01
RoHS StatusROHS3 Compliant
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSOT-23-6
ПродуктRectifiers
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250ВµA
Base Product NumberTSM3443 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада25 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max)2W (Ta)
Supplier Device PackageSOT-26
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаTaiwan Semiconductor
Упаковка / блокSOT-26-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 4.5V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Qg - заряд затвора6 nC
Время нарастания35 ns
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds640pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C4.7A (Ta)
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности2 W
Id - непрерывный ток утечки15 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток4.5 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток48 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения45 ns
Типичное время задержки при включении22 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток500 mV
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.11 S

Техническая документация