TSM300NB06LDCR RLG, MOSFETs 60V, 24A, Dual N-Channel Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064037036
- Артикул
- TSM300NB06LDCR RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
- Product:
- MOSFETs
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двойные N-канальные силовые МОП-транзисторы Taiwan Semiconductor Двойные N-канальные силовые МОП-транзисторы Taiwan Semiconductor имеют низкое сопротивление стока при включенном источнике, что сводит к минимуму потери электропроводности. Устройства обеспечивают низкий уровень заряда затвора для быстрого переключения. Тайваньские полупроводниковые двуxканальные силовые МОП-транзисторы Taiwan Semiconductor идеально подxодят для управления двигателями постоянного тока, управления питанием от батарей и преобразователей постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| Product: | MOSFETs |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | TSM300NB06LDCR |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 9 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |