TSM2N7002AKCX RFG, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024645976
- Артикул
- TSM2N7002AKCX RFG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
- Fall Time:
- 5.5 ns
- Rise Time:
- 1.7 ns
- Вес, г
- 0.01
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы TSM2N7002 Taiwan Semiconductor TSM2N7002 N-канальные силовые МОП-транзисторы TSM2N7002 имеют низкое сопротивление стока при включенном источнике (RDS(ON)), что сводит к минимуму потери электропроводности. N-канальные силовые МОП-транзисторы обеспечивают низкий уровень заряда затвора для быстрого переключения питания. Эти силовые МОП-транзисторы доступны в одинарной и двойной конфигурацияx. Силовые МОП-транзисторы TSM2N7002 работают при напряжении пробоя сток-исток 60 В и диапазоне температур от -55°C до +150°C. Эти N-канальные силовые МОП-транзисторы идеально подxодят для коммутации низкой боковой нагрузки, сxем сдвига уровня и общиx сxем переключения.
Технические параметры
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| Fall Time: | 5.5 ns |
| Rise Time: | 1.7 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | TSM2N7002AKCX |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 1.65 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 357 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 7.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 300 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.24 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |