TSM250NB06LDCR RLG, MOSFETs 60V, 29A, Dual N-Channel Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006209539
- Артикул
- TSM250NB06LDCR RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
- Power - Max
- 2W(Ta), 48W(Tc)
- Configuration
- 2 N-Channel(Dual)
Цена по запросу
(от 141,31 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Матрица Моп-транзисторов 60 В, 6 А (Ta), 29 А (Tc), 2 Вт (Ta), 48 Вт (Tc) для поверxностного монтажа 8-PDFN (5x6)
Технические параметры
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Power - Max | 2W(Ta), 48W(Tc) |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6A, 10V |
| Особенности | полевая сборка |
| Supplier Device Package | 8-PDFN(5x6) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1314pF @ 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A(Ta), 29A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 29 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |