TSM250NB06DCR RLG, Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 60В, 7А, 9,6Вт, PDFN56
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062488146
- Артикул
- TSM250NB06DCR RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Вес, г
- 0.01
- Упаковка
- Reel
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 98 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Dual N-Chan Pwr МОП-транзистор 60V 30A 25mu
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Упаковка | Reel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 3 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Taiwan Semiconductor |
| Упаковка / блок | PDFN-56-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 22 nC |
| Время нарастания | 9 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W, 48 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 25 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 36 S |