TSM250N02DCQ RFG, MOSFETs 20V, 5.8A, Dual N-Channel Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006217415
- Артикул
- TSM250N02DCQ RFG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Вес, г
- 1
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Структура
- N-Channel
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 62,87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 20V Dual N-Channel МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 7.6 ns |
| Особенности | полевая сборка |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Taiwan Semiconductor |
| Упаковка / блок | TDFN-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 7.7 nC |
| Время нарастания | 11.6 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 620 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.8 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 23.9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.1 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 400 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |