Моя заявка (0)

TSM250N02CX RFG, Транзистор N-МОП, полевой, 20В 5,8A 1,56Вт 0,025Ом SOT23

TSM250N02CX RFG, Транзистор N-МОП, полевой, 20В 5,8A 1,56Вт 0,025Ом SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024645975
Артикул
TSM250N02CX RFG
Бренд
Taiwan Semiconductor
Вес, г
0.01
Корпус
sot23
Структура
N-МОП
Технология
Si
Цена по запросу
(от 27 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 20В 5,8A 1,56Вт 0,025Ом SOT23

Технические параметры

Вес, г0.01
Корпусsot23
СтруктураN-МОП
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада7.6 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаTaiwan Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора7.7 nC
Время нарастания11.6 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности1.56 W
Id - непрерывный ток утечки5.8 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток4.5 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток20 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения23.9 ns
Типичное время задержки при включении4.1 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток400 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.8
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.6.5 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.56
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0, 025Ом

Техническая документация