TSM230N06CP ROG, Транзистор N-МОП, полевой, 60В 50A 53Вт 0,023Ом TO252
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024645970
- Артикул
- TSM230N06CP ROG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Width
- 5.8mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 78 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Taiwan Semiconductor 60V, 50A, 28 Мом, 3-контактный, N-канальный силовой MOSFET имеет конфигурацию с одним транзистором и режим канала усиления.
Технические параметры
| Width | 5.8mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | to252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-МОП |
| Forward Diode Voltage | 1V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 53 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 28 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 53 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0, 023Ом |