Моя заявка (0)
TSM2309CX RFG, Trans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002293903
Артикул
TSM2309CX RFG
Бренд
Taiwan Semiconductor
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 41 ₽)
Минимальный заказ: 500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET P-CH 60V 3.1A с 3-контактным разъемом SOT-23 T/R

Технические параметры

PPAPNo
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
КорпусSOT-23
ConfigurationSingle
Package Width1.4(Max)
Package Length3(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOT-23
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураMOSFET
Standard Package NameSOT
Typical Fall Time (ns)10.6
Typical Rise Time (ns)19
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)1560
Typical Gate Charge @ 10V (nC)8.2
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)8.2@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)5.2
Maximum Drain Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)35
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2.5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)3.1
Operating Junction Temperature (°C)150
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)425@30V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)190@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация