Taiwan Semi P-Channel MOSFET, 3 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 TSM2307CX RFG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014495846
- Артикул
- TSM2307CX RFG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Width
- 1.7mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой TSM2307CX RFG от производителя TAIWAN SEMICONDUCTORS — надежный компонент для современной электроники. Модель предназначена для поверхностного монтажа (SMD), что обеспечивает удобство в интеграции на печатные платы. С током стока 3 А и напряжением сток-исток в 30 В, этот N-MOSFET транзистор гарантирует эффективное управление электричеством в вашем устройстве. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,095 Ом, что свидетельствует о его высокой проводимости. Корпус SOT23 обеспечивает компактность и надежность использования. Продукт TSM2307CXRFG отличается стабильностью и долговечностью, что делает его идеальным выбором для различных электронных схем. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 3 Напряжение сток-исток, В 30 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.095 Корпус SOT23
Технические параметры
| Width | 1.7mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 140 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.076 Ом |