TSM210N02CX RFG, Транзистор N-МОП, полевой, 20В 6,7A 1,56Вт 0,021Ом SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024645964
- Артикул
- TSM210N02CX RFG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 30 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 20В 6,7A 1,56Вт 0,021Ом SOT23
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | В±10V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.01 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Корпус | sot23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250ВµA |
| Структура | N-МОП |
| Base Product Number | TSM210 -> |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 4A, 4.5V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.56W (Tc) |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 10V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6.7A (Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.56 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0, 021Ом |